跟蹤低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器評估板(NEX80605/NEX81812/NEX52041)
該評估板是一款基于GaN HEMT的高功率密度USB PD充電器，采用Nexperia 交鑰匙解決方案NEX80605 + NEX81812 + NEX52041設計。NEX80605是一款寬Vcc范圍高頻準諧振反激控制器，NEX81812為自適應同步整流控制器，而NEX52041則是USB Type-C及PD控制器。此外，該評估板還采用了Nexperia 功率器件，包括650V GaN HEMT、100V SR MOSFET及30V MOSFET。
評估板輸出端為Type-C接口，支持QC2.0、QC3.0、PD3.1快速充電協(xié)議及帶PPS功能。通過誘餌電路實現(xiàn)輸出電壓切換。
主要特色
此EVB提供以下功能：
• 輸入電壓范圍：4 V 到 40 V
• 最大電壓輸入范圍：-42 V 到 45 V（VIN - VOUT = -42 V）
• 寬輸出電壓范圍：2 V 到 40 V
• 最大電壓輸入范圍：-5 V 到 45 V
• 非常嚴格的輸出跟蹤容差：5 mV（最大）
• 最大輸出電流：70 mA
• 低靜態(tài)電流（IQ）：
• 在輕負載下最大為70 µA
• 在EN = 低（關機模式）下最大為3.5 µA
板上的產品 (5)
| Type number | Description | Status | Quick access | |
|---|---|---|---|---|
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NEX80605DA | Wide supply voltage range quasi-resonant flyback controller, 130 KHz, 11.5 V gate driver with Over Current Protection (OCP) | Production | |
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NEX81812DA | Adaptive Synchronous Rectifier (SR) Controller | Production | |
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NEX5204100BV | USB Type-C? and Power Delivery controller | Production | |
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GAN190-650EBE | 650 V, 190 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 8 mm x 8 mm package | Production | |
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PSMN7R2-100YSF | NextPower 100 V, 6.9 mOhm N-channel MOSFET in LFPAK56 package | Production |
板上的產品 (5)
| Type number | Description | Status | Quick access | |
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NEX80605DA | Wide supply voltage range quasi-resonant flyback controller, 130 KHz, 11.5 V gate driver with Over Current Protection (OCP) | Production | |
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NEX81812DA | Adaptive Synchronous Rectifier (SR) Controller | Production | |
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NEX5204100BV | USB Type-C? and Power Delivery controller | Production | |
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GAN190-650EBE | 650 V, 190 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 8 mm x 8 mm package | Production | |
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PSMN7R2-100YSF | NextPower 100 V, 6.9 mOhm N-channel MOSFET in LFPAK56 package | Production |
文檔 (1)
| 文件名稱 | 標題 | 類型 | 日期 |
|---|---|---|---|
| UM90047 | Single Type-C PD charger evaluation board | User manual | 2026-01-09 |