Nexperia推出100 V MOSFET，為高要求汽車應用實現超低導通損耗
九月 18, 2025Nijmegen -- 車規級CCPAK1212封裝可提高48 V設計的功率密度
奈梅亨，2025年九月 18, 2025：Nexperia今天宣布推出符合AEC-Q101標準的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212（12 x 12毫米）銅夾封裝。此款器件具有超低導通損耗，導通電阻(RDS(on))低至0.99mΩ，可實現460A以上的安全電流。產品包含頂部和底部散熱封裝組合，非常適合對散熱要求嚴格的48V汽車應用，包括車載充電器(OBC)、牽引逆變器和電池管理系統(BMS)。除了乘用車之外，新款MOSFET還適用于其他注重效率和散熱可靠性的應用，包括兩輪和三輪電動車、DC-DC轉換器及工業大電流模塊等。
車企正在迅速從12 V轉向48 V子系統，以提高效率、減輕重量并延長各類電動汽車平臺的續航里程。在此類高功率應用中，最大限度地減少導通損耗至關重要。以往，設計人員通常會并聯多個MOSFET來滿足性能需求，但這種做法會增加所需的元件數量，同時占用更多電路板空間。Nexperia的CCPAK1212 MOSFET具有超低RDS(on)和高功率密度，減少了對并聯器件的需求，并且得益于緊湊的尺寸，與傳統的TOLL或TOLT封裝并聯方案相比，可節省多達40%的PCB空間。
新一代100 V 符合AEC-Q101認證的溝槽晶圓工藝平臺與Nexperia專有CCPAK1212銅夾封裝的出眾散熱性能(Rth(jb) = 0.1 K/W)相結合，可實現超低RDS(on)，從而為48 V汽車系統提供所需的關鍵優勢，包括高電流承載能力、高功率密度，而且在100 V時支持高達400 A的安全工作區(SOA)額定值。
為了盡可能地提高設計靈活性，此款器件提供反向頂部散熱(CCPAK1212i)和底部散熱(CCPAK1212)兩種版本供選擇，使工程師能夠根據系統需求，靈活設計緊湊型布局并優化散熱管理方案。
欲了解有關Nexperia車規級MOSFET的更多信息，請訪問：www.yulewangzhi.com/ccpak-mosfets
About Nexperia
Nexperia總部位于荷蘭，是一家在歐洲擁有豐富悠久發展歷史的全球性半導體公司，目前在歐洲、亞洲和美國共有12,500多名員工。作為基礎半導體器件開發和生產的領跑者，Nexperia的器件被廣泛應用于汽車、工業、移動和消費等多個應用領域，幾乎為世界上所有商業電子設計的基本功能提供支持。
Nexperia為全球客戶提供服務，每年的產品出貨量超過1,100億件。這些產品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面成為行業基準，獲得廣泛認可。Nexperia擁有豐富的IP產品組合和持續擴充的產品范圍，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標準認證，充分體現了公司對于創新、高效、可持續發展和滿足行業嚴苛要求的堅定承諾。
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